BU808DFI

สังเกต: STMicroelectronics BU808DFI มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - Darlington
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	8 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	700 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	1.6V @ 500mA, 5A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	400µA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	60 @ 5A, 5V
กำลัง - สูงสุด	52 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	ISOWATT-218-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	ISOWATT-218

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BU808DFI STMicroelectronics
	BU807TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	BU807 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	BU806 PBFREE Central Semiconductor
	BU806 NTE Electronics, Inc.

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว