2N5551ZL1G

สังเกต: Rochester Electronics 2N5551ZL1G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	600 mA
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	160 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
กำลัง - สูงสุด	625 mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	300MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-92-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 40000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2N5550_D26Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N5551ZL1G Rochester Electronics
	2N5551YBU Rochester Electronics
	2N5550RLRA Rochester Electronics
	2N5551RLRM Rochester Electronics
	2N5550TAR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N5551-AP Micro Commercial Components (MCC)
	2N5551RLRAG Rochester Electronics
	2N5551_J61Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N5551CTA Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว