NJVMJD122T4G

สังเกต: Rochester Electronics NJVMJD122T4G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	Automotive, AEC-Q101
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - Darlington
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	8 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	100 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	10µA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
กำลัง - สูงสุด	1.75 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	4MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DPAK

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 2315

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NJVMJD112G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD31CT4G-VF01 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD32CT4G-VF01 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD148T4G Rochester Electronics
	NJVMJD122T4G Rochester Electronics
	NJVMJD3055T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD32CT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD50T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD45H11T4G-VF01 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NJVMJD148T4G-VF01 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว