2N6668 TIN/LEAD

สังเกต: Central Semiconductor 2N6668 TIN/LEAD มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - Darlington
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	10 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	80 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	-
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	-
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	-
กำลัง - สูงสุด	65 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	20MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2N6668 TIN/LEAD Central Semiconductor
	2N6649 Roving Networks / Microchip Technology
	2N6674 Roving Networks / Microchip Technology
	2N6667G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N6668 NTE Electronics, Inc.
	2N6675 Roving Networks / Microchip Technology
	2N6667 NTE Electronics, Inc.
	2N6672 Roving Networks / Microchip Technology
	2N6666 NTE Electronics, Inc.
	2N6671 Roving Networks / Microchip Technology

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว