BDV65C-S

สังเกต: J.W. Miller / Bourns BDV65C-S มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - Darlington
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	12 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	120 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	2V @ 20mA, 5A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	2mA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	1000 @ 5A, 4V
กำลัง - สูงสุด	3.5 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-218-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	SOT-93

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BDV64B Rochester Electronics
	BDV65B-S J.W. Miller / Bourns
	BDV65BG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	BDV65C-S J.W. Miller / Bourns
	BDV64C-S J.W. Miller / Bourns
	BDV64-S J.W. Miller / Bourns
	BDV65B Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	BDV64A-S J.W. Miller / Bourns
	BDV65-S J.W. Miller / Bourns
	BDV64BG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว