MJD5731T4

สังเกต: Rochester Electronics MJD5731T4 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	1 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	350 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	100µA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	30 @ 300mA, 10V
กำลัง - สูงสุด	1.56 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	10MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DPAK

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 2500

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MJD5731T4 Rochester Electronics
	MJD50T4 STMicroelectronics
	MJD5731T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD50G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD50 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD50T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD50TF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD50RLG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว