MJD122-1

สังเกต: STMicroelectronics MJD122-1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - Darlington
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	8 A
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	100 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	10µA
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
กำลัง - สูงสุด	20 W
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-251-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 20390

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MJD112RLG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD18002D2T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD112-TP Micro Commercial Components (MCC)
	MJD127 Rochester Electronics
	MJD127G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD122-1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD128T4 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD128T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MJD117TF-FS Rochester Electronics
	MJD112T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว