2N3960

สังเกต: Microsemi 2N3960 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	-
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	12 V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 3mA, 30mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 1V
กำลัง - สูงสุด	400 mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 200°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจ / กรณี	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-18 (TO-206AA)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2N3904 NTE Electronics, Inc.
	2N3904RLRP Rochester Electronics
	2N3906RLRPG Rochester Electronics
	2N3904_D27ZS00Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N3906G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N3903 Rochester Electronics
	2N3904RLRAG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N3903RLRM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2N3905 PBFREE Central Semiconductor
	2N3955 Central Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว