NSVEMT1DXV6T5G

สังเกต: Rochester Electronics NSVEMT1DXV6T5G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภททรานซิสเตอร์	2 PNP (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - การสลายตัวของตัวเก็บประจุ (สูงสุด)	60V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
ปัจจุบัน - ตัวตัดสะสม (สูงสุด)	500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
กำลัง - สูงสุด	500mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	140MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจ / กรณี	SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	SOT-563

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 8000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NSVEMT1DXV6T5G Rochester Electronics
	NSVEMX1DXV6T1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NSVEMT1DXV6T1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว