RJK03M8DNS-00#J5

สังเกต: Rochester Electronics RJK03M8DNS-00#J5 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	30A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14.5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2.59 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	20W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-HWSON (3.3x3.3)
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerWDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 315000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RJK03M8DNS-00#J5 Rochester Electronics
	RJK0452DPB-00#J5 Renesas Electronics America
	RJK0346DPA-01#J0B Renesas Electronics America
	RJK0352DSP-00#J0 Rochester Electronics
	RJK0366DPA-02#J0B Rochester Electronics
	RJK0655DPB-00#J5 Renesas Electronics America
	RJK0355DSP-01#J0 Renesas Electronics America
	RJK0603DPN-E0#T2 Renesas Electronics America
	RJK0329DPB-01#J0 Rochester Electronics
	RJK0702DPN-E0#T2 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว