STI18N65M2

สังเกต: STMicroelectronics STI18N65M2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	MDmesh™ M2
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	12A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	330mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±25V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	770 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	I2PAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 845

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STI15NM60N STMicroelectronics
	STI18N65M2 STMicroelectronics
	STI10NM60N STMicroelectronics
	STI17NF25 STMicroelectronics
	STI14NM50N STMicroelectronics
	STI15NM60ND STMicroelectronics
	STI13NM60N STMicroelectronics
	STI10N62K3 STMicroelectronics
	STI100N10F7 STMicroelectronics
	STI11NM60ND STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว