IRF6810STRPBF

สังเกต: Rochester Electronics IRF6810STRPBF มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	HEXFET®
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	25 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	16A (Ta), 50A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.1V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.038 pF @ 13 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.1W (Ta), 20W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DIRECTFET S1
แพ็คเกจ / กรณี	DirectFET™ Isometric S1

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4760

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IRF6623TR1PBF IR (Infineon Technologies)
	IRF6810STRPBF Rochester Electronics
	IRF6609 IR (Infineon Technologies)
	IRF624STRL Vishay / Siliconix
	IRF6612TR1PBF IR (Infineon Technologies)
	IRF6722STR1PBF IR (Infineon Technologies)
	IRF644S Vishay / Siliconix
	IRF6616TR1PBF IR (Infineon Technologies)
	IRF6722MTR1PBF IR (Infineon Technologies)
	IRF6668TR1PBF IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว