IMBF170R450M1XTMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolSiC™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1700 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	9.8A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	450mOhm @ 2A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.7V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11 nC @ 12 V
Vgs (สูงสุด)	+20V, -10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	610 pF @ 1000 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	107W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO263-7
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 673

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IMBF170R450M1XTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBF170R1K0M1XTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBF170R650M1XTMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว