SCT2280KEC

สังเกต: ROHM Semiconductor SCT2280KEC มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1200 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	14A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	364mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1.4mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -6V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	667 pF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	108W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 2075

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SCT2120AFC ROHM Semiconductor
	SCT2280KEC ROHM Semiconductor
	SCT2080KEHRC11 ROHM Semiconductor
	SCT2450KEC ROHM Semiconductor
	SCT20N120AG STMicroelectronics
	SCT2H12NYTB ROHM Semiconductor
	SCT2H12NZGC11 ROHM Semiconductor
	SCT2750NYTB ROHM Semiconductor
	SCT20N120 STMicroelectronics
	SCT20N120H STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว