RQ1A070ZPTR

สังเกต: ROHM Semiconductor RQ1A070ZPTR มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Not For New Designs
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	12 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	7A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	58 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	7400 pF @ 6 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TSMT8
แพ็คเกจ / กรณี	8-SMD, Flat Lead

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 5683

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว