NTMFS4921NT1G

สังเกต: Rochester Electronics NTMFS4921NT1G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	6.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	25 nC @ 11.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.4 pF @ 12 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	870mW (Ta), 38.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN, 5 Leads

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 182598

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NTMFS4965NFT1G Rochester Electronics
	NTMFS4983NFT3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTMFS5H409NLT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTMFS4C56NT1G Rochester Electronics
	NTMFS4C03NT1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTMFS4921NT1G Rochester Electronics
	NTMFS5C430NLT3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTMFS4C50NT1G Rochester Electronics
	NTMFS4108NT3G Rochester Electronics
	NTMFS4935NCT3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว