BSP615S2L

สังเกต: Rochester Electronics BSP615S2L มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	55 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	2.8A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	90mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	330 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-SOT223-4
แพ็คเกจ / กรณี	TO-261-4, TO-261AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4000

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSP615S2L Rochester Electronics
	BSP615S2LHUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSP603S2LNT Rochester Electronics
	BSP612PH6327XTSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSP613PL6327HUSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSP613PH6327XTSA1 IR (Infineon Technologies)
	BSP613P IR (Infineon Technologies)
	BSP603S2LHUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSP613PL6327 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว