NTP125N02RG

สังเกต: Rochester Electronics NTP125N02RG มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	24 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	15.9A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3.44 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220AB
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 6785

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NTP125N02RG Rochester Electronics
	NTP18N06LG Rochester Electronics
	NTP18N06 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTP110N65S3HF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTP150N65S3HF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTP13N10G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTP190N65S3HF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTP125N02R Rochester Electronics
	NTP18N06L Rochester Electronics
	NTP13N10 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว