2SK1835-E

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	2SK1835-E
ผู้ผลิต:	Renesas Electronics America
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
แผ่นข้อมูล:	2SK1835-E แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Renesas Electronics America 2SK1835-E มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1500 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	7Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	-
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1700 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-3P
แพ็คเกจ / กรณี	TO-3P-3, SC-65-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 6819

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2SK1519-E Rochester Electronics
	2SK1420 Rochester Electronics
	2SK1775-E Renesas Electronics America
	2SK1835-E Renesas Electronics America
	2SK1461 Rochester Electronics
	2SK160A-T1B-A Rochester Electronics
	2SK1629-E Rochester Electronics
	2SK1636L-E Rochester Electronics
	2SK1403A-E Rochester Electronics
	2SK1157-E Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว