HAT2054M-EL-E

สังเกต: Rochester Electronics HAT2054M-EL-E มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	6.3A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	31mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	-
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	620 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.05W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	6-TSOP
แพ็คเกจ / กรณี	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 10605

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	HAT2168H-EL-E Renesas Electronics America
	HAT2175H-EL-E Renesas Electronics America
	HAT2166HWS-E Renesas Electronics America
	HAT2054M-EL-E Rochester Electronics
	HAT2088R-EL-E Renesas Electronics America
	HAT2199R-EL-E Rochester Electronics
	HAT2174H-EL-E Renesas Electronics America
	HAT2299WP-EL-E Renesas Electronics America
	HAT2279N-EL-E Rochester Electronics
	HAT2185WPWS-E Renesas Electronics America

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว