IPI80N04S403AKSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPI80N04S403AKSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	80A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 53µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5260 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	94W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO262-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 357

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPI80P03P405AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N08S207AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N04S403AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N06S4L05AKSA2 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N08S406AKSA1 Rochester Electronics
	IPI80P04P405AKSA1 Rochester Electronics
	IPI80CN10NG Rochester Electronics
	IPI80P04P407AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N04S204AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI80N06S3-05 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว