BSC196N10NSGATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) BSC196N10NSGATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	100 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	8.5A (Ta), 45A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 42µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2300 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	78W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TDSON-8-1
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 10431

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSC100N03MSG Rochester Electronics
	BSC146N10LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC196N10NSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFG Rochester Electronics
	BSC120N03LSG Rochester Electronics
	BSC100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC105N10LSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC123N10LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC120N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว