IPD80R1K0CEBTMA1

สังเกต: Rochester Electronics IPD80R1K0CEBTMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	800 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	5.7A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	785 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-252-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 22266

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPD80R2K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R4K5P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R450P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R1K0CEBTMA1 Rochester Electronics
	IPD80R600P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R1K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R750P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80P03P4L07ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R2K8CEATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD80R900P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว