SPW17N80C3FKSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) SPW17N80C3FKSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	800 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	17A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2320 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	227W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO247-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 674

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SPW17N80C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW11N60CFD Rochester Electronics
	SPW15N60C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW11N60S5FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW11N80C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW17N80C3A IR (Infineon Technologies)
	SPW12N50C3XK Rochester Electronics
	SPW11N60C3 Rochester Electronics
	SPW16N50C3FKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPW11N60CFDFKSA1 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว