IPS65R950C6AKMA1

สังเกต: Rochester Electronics IPS65R950C6AKMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4.5A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	328 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	37W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO251-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-251-3 Stub Leads, IPak

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 735173

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPS65R1K0CEAKMA1 Rochester Electronics
	IPS60R360PFD7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS60R1K0PFD7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS65R950C6AKMA1 Rochester Electronics
	IPS65R1K0CEAKMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPS60R210PFD7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS65R400CEAKMA1 Rochester Electronics
	IPS60R600PFD7SAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS60R1K5CEAKMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPS60R2K1CEAKMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว