SISS73DN-T1-GE3

สังเกต: Vishay / Siliconix SISS73DN-T1-GE3 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	TrenchFET®
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	150 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	125mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	719 pF @ 75 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PowerPAK® 1212-8S
แพ็คเกจ / กรณี	PowerPAK® 1212-8S

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4467

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SISS26LDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS67DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS94DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS73DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS64DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS27ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS42DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS70DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS23DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SISS26DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว