G3R40MT12D

สังเกต: GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	G3R™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1200 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	71A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	48mOhm @ 35A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.69V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	106 nC @ 15 V
Vgs (สูงสุด)	±15V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2929 pF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	333W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 281

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว