STP45N60DM6

สังเกต: STMicroelectronics STP45N60DM6 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	MDmesh™ DM6
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	30A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±25V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1920 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	210W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 17

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STP46NF30 STMicroelectronics
	STP40NS15 STMicroelectronics
	STP45N60DM6 STMicroelectronics
	STP4LN80K5 STMicroelectronics
	STP45N40DM2AG STMicroelectronics
	STP4NK60ZFP STMicroelectronics
	STP4N62K3 STMicroelectronics
	STP45NF06 STMicroelectronics
	STP410N4F7AG STMicroelectronics
	STP4NK80Z STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว