MTB50P03HDLT4G

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	MTB50P03HDLT4G
ผู้ผลิต:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย:	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
แผ่นข้อมูล:	MTB50P03HDLT4G แผ่นข้อมูล
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS
สภาพสต็อค:	มีสินค้า
จัดส่งจาก:	Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

สังเกต: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MTB50P03HDLT4G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Not For New Designs
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	50A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	25mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	100 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±15V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4900 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	D2PAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 1538

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	MTB50P03HDLT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MTB52N06VL Rochester Electronics
	MTB50P03HDLG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MTB50P03HDLT4 Rochester Electronics
	MTB55N06Z Rochester Electronics
	MTB50P03HDL Rochester Electronics
	MTB55N06ZT4 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว