IPP120P04P4L03AKSA2

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPP120P04P4L03AKSA2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS®-P2
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	120A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 340µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	+5V, -16V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	15000 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	136W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO220-3-1
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 139

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPP100N06S2L05AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP114N03LG Rochester Electronics
	IPP147N12N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP120N04S401AKSA1 Rochester Electronics
	IPP120N04S402AKSA1 Rochester Electronics
	IPP110N20N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP139N08N3G Rochester Electronics
	IPP12CN10LGXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPP120P04P4L03AKSA2 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว