FDB0250N807L

สังเกต: Rochester Electronics FDB0250N807L มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	PowerTrench®
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	80 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	240A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	15.4 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	3.8W (Ta), 214W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-263-7
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 789

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FDB045AN08A0 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB070AN06A0 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB050AN06A0 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB075N15A_SN00284 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB0250N807L Rochester Electronics
	FDB088N08 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB0260N1007L Rochester Electronics
	FDB088N08_F141 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB060AN08A0 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDB0170N607L Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว