รูปภาพใช้สำหรับอ้างอิง โปรดติดต่อเราเพื่อรับรูปภาพจริง
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SISHA14DN-T1-GE3 |
ผู้ผลิต: | Vishay / Siliconix |
ส่วนหนึ่งของคำอธิบาย: | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ไร้สารตะกั่ว / ได้มาตรฐาน RoHS |
สภาพสต็อค: | มีสินค้า |
จัดส่งจาก: | Hong Kong |
วิธีการจัดส่ง: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
พิมพ์ | คำอธิบาย |
---|---|
ชุด | TrenchFET® Gen IV |
แพ็คเกจ | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
สถานะชิ้นส่วน | Active |
ประเภท FET | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss) | 30 V |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | +20V, -16V |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
คุณสมบัติ FET | - |
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | PowerPAK® 1212-8SH |
แพ็คเกจ / กรณี | PowerPAK® 1212-8SH |
สถานะสต็อค: 5786
ขั้นต่ำ: 1
ปริมาณ | ราคาต่อหน่วย | ต่อ ราคา |
---|---|---|
![]() ไม่มีราคา กรุณา RFQ |
US $40 โดยเฟดเอ็กซ์
มาถึงใน 3-5 วัน
ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก