IPAN60R360P7SXKSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPAN60R360P7SXKSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™ P7
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	9A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	555 pF @ 400 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	22W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO220 Full Pack
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPAN60R180P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN70R750P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN60R360P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN70R600P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN60R600P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN60R125PFD7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN60R650CEXKSA1 Rochester Electronics
	IPAN70R900P7SXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPAN80R450P7XKSA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว