IPB108N15N3GATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPB108N15N3GATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	150 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	83A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	10.8mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3230 pF @ 75 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	214W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	D²PAK (TO-263AB)
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4397

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPB120N06S403ATMA1 Rochester Electronics
	IPB13N03LB IR (Infineon Technologies)
	IPB180N03S4L-H0 Rochester Electronics
	IPB120N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB180N06S4H1ATMA1 Rochester Electronics
	IPB180N04S400ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB100N04S4H2ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB180N03S4L01ATMA1 Rochester Electronics
	IPB10N03LB IR (Infineon Technologies)
	IPB120N03S4L03ATMA1 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว