NTD24N06-1G

สังเกต: Rochester Electronics NTD24N06-1G มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	24A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	42mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.2 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	I-PAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 3148

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NTD23N03RG Rochester Electronics
	NTD20P06L-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD20N03L27T4 Rochester Electronics
	NTD20N03L27G Rochester Electronics
	NTD23N03R-1G Rochester Electronics
	NTD24N06-1G Rochester Electronics
	NTD20N06T4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD20N06T4 Rochester Electronics
	NTD24N06LT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD25P03LT4 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว