IPC100N04S51R2ATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IPC100N04S51R2ATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	100A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	131 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	7650 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TDSON-8-34
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4975

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IPC100N04S51R9ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S51R2ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S5L1R9ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S5L1R5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S52R8ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S5L2R6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S51R7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPC100N04S5L1R1ATMA1 Rochester Electronics
	IPC100N04S402ATMA1 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว