NTD18N06LG

สังเกต: Rochester Electronics NTD18N06LG มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	18A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±15V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	675 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.1W (Ta), 55W (Tj)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	DPAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	NTD110N02RST4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD18N06T4G Rochester Electronics
	NTD110N02R-001 Rochester Electronics
	NTD18N06-1G Rochester Electronics
	NTD15N06L-1G Rochester Electronics
	NTD15N06-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD15N06L-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD14N03R-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD18N06LG Rochester Electronics
	NTD12N10-1G Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว