FDG314P

สังเกต: Rochester Electronics FDG314P มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	25 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	650mA (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	63 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	750mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	SC-88 (SC-70-6)
แพ็คเกจ / กรณี	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 335960

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FDG327NZ Rochester Electronics
	FDG314P Rochester Electronics
	FDG312P Rochester Electronics
	FDG332PZ Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDG311N Rochester Electronics
	FDG316P Rochester Electronics
	FDG313N_D87Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDG361N Rochester Electronics
	FDG330P Rochester Electronics
	FDG313N Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว