2SJ650

สังเกต: Rochester Electronics 2SJ650 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	12A (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	135mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1020 pF @ 20 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2W (Ta), 20W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220ML
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 522500

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	2SJ681(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	2SJ649-AZ Renesas Electronics America
	2SJ650 Rochester Electronics
	2SJ652 Rochester Electronics
	2SJ670-TD-E Rochester Electronics
	2SJ665-DL-E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ654 Rochester Electronics
	2SJ652-1E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ661-DL-1E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SJ646-TL-E Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว