BSN20,215

สังเกต: Rochester Electronics BSN20,215 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	TrenchMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	50 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	173mA (Ta)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	15Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	-
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	25 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	830mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-236AB
แพ็คเกจ / กรณี	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 198946

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	BSN20Q-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
	BSN20,215 Rochester Electronics
	BSN254A,126 NXP Semiconductors
	BSN20BKR Nexperia
	BSN20BK215 Rochester Electronics
	BSN254,126 NXP Semiconductors
	BSN20-7 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
	BSN20,235 Nexperia

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว