RJK60S5DPP-E0#T2

สังเกต: Rochester Electronics RJK60S5DPP-E0#T2 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	20A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	178mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.6 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	Super Junction
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	33.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220FP
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 226

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	RJK6032DPD-00#J2 Renesas Electronics America
	RJK6015DPK-00#T0 Renesas Electronics America
	RJK6024DPD-00#J2 Rochester Electronics
	RJK6002DPH-E0#T2 Renesas Electronics America
	RJK6018DPM-00#T1 Renesas Electronics America
	RJK6012DPP-E0#T2 Renesas Electronics America
	RJK60S5DPP-E0#T2 Rochester Electronics
	RJK60S5DPE-00#J3 Rochester Electronics
	RJK6025DPD-00#J2 Renesas Electronics America
	RJK60S7DPP-E0#T2 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว