IAUC41N06S5L100ATMA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) IAUC41N06S5L100ATMA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	OptiMOS™
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	60 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	41A (Tj)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	10mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	16.4 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1.205 nF @ 30 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TDSON-8-33
แพ็คเกจ / กรณี	8-PowerTDFN

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 285

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	IAUC24N10S5L300ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC120N04S6L012ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC100N10S5L040ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC80N04S6N036ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC100N04S6N022ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC100N10S5N040ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC60N04S6L039ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC100N04S6N028ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC90N10S5N062ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IAUC41N06S5L100ATMA1 IR (Infineon Technologies)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว