TSM4ND65CI

สังเกต: TSC (Taiwan Semiconductor) TSM4ND65CI มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	4A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	596 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	41.6W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	ITO-220
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 3944

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	TSM4NB60CZ C0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM480P06CP ROG TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4800N15CX6 RFG TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4435BCS RLG TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4NC60CI C0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4NC50CP ROG TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4ND65CI TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4ND60CI C0G TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4459CS RLG TSC (Taiwan Semiconductor)
	TSM4N60ECP ROG TSC (Taiwan Semiconductor)

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว