SPA15N60C3XKSA1

สังเกต: IR (Infineon Technologies) SPA15N60C3XKSA1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	CoolMOS™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	15A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 675µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1660 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	34W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	PG-TO220-FP
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3 Full Pack

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 500

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SPA11N60CFDXKSA1 Rochester Electronics
	SPA17N80C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA16N50C3 Rochester Electronics
	SPA15N65C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA15N60C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA11N80C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA11N60C3IN IR (Infineon Technologies)
	SPA12N50C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA11N65C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPA15N60CFDXKSA1 Rochester Electronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว