PHB110NQ08T,118

สังเกต: Rochester Electronics PHB110NQ08T,118 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	TrenchMOS™
แพ็คเกจ	Bulk
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	75 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	75A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	113.1 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4.86 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	230W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	D2PAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 750

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	PHB101NQ04T,118 NXP Semiconductors
	PHB129NQ04LT,118 NXP Semiconductors
	PHB11N06LT,118 NXP Semiconductors
	PHB110NQ06LT,118 NXP Semiconductors
	PHB145NQ06T,118 NXP Semiconductors
	PHB119NQ06T,118 NXP Semiconductors
	PHB110NQ08T,118 Rochester Electronics
	PHB108NQ03LT,118 NXP Semiconductors
	PHB152NQ03LTA,118 NXP Semiconductors
	PHB110NQ08LT,118 NXP Semiconductors

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว