LSIC1MO120E0160

สังเกต: Wickmann / Littelfuse LSIC1MO120E0160 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1200 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	22A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	200mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -6V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	870 pF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 371

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	LSIC1MO170E1000 Wickmann / Littelfuse
	LSIC1MO120E0160 Wickmann / Littelfuse
	LSIC1MO120E0080 Wickmann / Littelfuse
	LSIC1MO120E0120 Wickmann / Littelfuse
	LSIC1MO170T0750 Wickmann / Littelfuse

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว