STD1NK80Z-1

สังเกต: STMicroelectronics STD1NK80Z-1 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	SuperMESH™
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	800 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	1A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	160 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	45W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	I-PAK
แพ็คเกจ / กรณี	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 4

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STD11NM60N-1 STMicroelectronics
	STD15N65M5 STMicroelectronics
	STD10N60M2 STMicroelectronics
	STD120N4F6 STMicroelectronics
	STD100N10F7 STMicroelectronics
	STD13N65M2 STMicroelectronics
	STD15NF10T4 STMicroelectronics
	STD12N60DM6 STMicroelectronics
	STD14NM50N STMicroelectronics
	STD100NH02LT4 STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว