FQP3N25

สังเกต: Rochester Electronics FQP3N25 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	QFET®
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	250 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	2.8A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5.2 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	170 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	45W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-220-3
แพ็คเกจ / กรณี	TO-220-3

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 5900

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	FQP3N60 Rochester Electronics
	FQP3N80 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQP3N80C Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQP3N30 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQP32N12V2 Rochester Electronics
	FQP3N90 Rochester Electronics
	FQP3N50C-F080 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQP3N25 Rochester Electronics
	FQP32N20C Rochester Electronics
	FQP3N40 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว