SCT3040KRC14

สังเกต: ROHM Semiconductor SCT3040KRC14 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	-
แพ็คเกจ	Tube
สถานะชิ้นส่วน	Active
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	1200 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	55A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	52mOhm @ 20A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1337 pF @ 800 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	262W
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	TO-247-4L
แพ็คเกจ / กรณี	TO-247-4

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: 427

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor
	SCT3105KW7TL ROHM Semiconductor
	SCT3030KLHRC11 ROHM Semiconductor
	SCT3080AW7TL ROHM Semiconductor
	SCT3060ARC14 ROHM Semiconductor
	SCT3040KLHRC11 ROHM Semiconductor
	SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor
	SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor
	SCT3080KW7TL ROHM Semiconductor
	SCT3040KRC14 ROHM Semiconductor

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว