STS19N3LLH6

สังเกต: STMicroelectronics STS19N3LLH6 มีอยู่ใน chipnets.com เราขายเฉพาะชิ้นส่วนใหม่และต้นฉบับและให้เวลารับประกัน 1 ปี หากคุณต้องการทราบข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์หรือสมัครราคาที่ดีขึ้น โปรดติดต่อเรา คลิก แชทออนไลน์ หรือส่งใบเสนอราคามาที่เรา

ส่วนประกอบ Eelctronics ทั้งหมดจะถูกบรรจุอย่างปลอดภัยด้วยการป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD

package

ข้อมูลจำเพาะ

พิมพ์	คำอธิบาย
ชุด	DeepGATE™, STripFET™ VI
แพ็คเกจ	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
สถานะชิ้นส่วน	Obsolete
ประเภท FET	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันระบายไปยังแหล่งที่มา (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) ที่ 25 ° C	19A (Tc)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	17 nC @ 15 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1690 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET	-
การสูญเสียพลังงาน (สูงสุด)	2.7W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์	8-SO
แพ็คเกจ / กรณี	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ซื้อตัวเลือก

สถานะสต็อค: จัดส่งในวันเดียวกัน

ขั้นต่ำ: 1

ปริมาณ	ราคาต่อหน่วย	ต่อ ราคา
ไม่มีราคา กรุณา RFQ

การคำนวณค่าขนส่ง

US $40 โดยเฟดเอ็กซ์

มาถึงใน 3-5 วัน

ด่วน:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) จัดส่งฟรี 0.5 กก. แรกสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า 150 เหรียญสหรัฐฯ น้ำหนักเกินจะถูกเรียกเก็บแยกต่างหาก

โมเดลยอดนิยม

	STS10PF30L STMicroelectronics
	STS13N3LLH5 STMicroelectronics
	STS12NF30L STMicroelectronics
	STS1HNK60 STMicroelectronics
	STS12NH3LL STMicroelectronics
	STS17NH3LL STMicroelectronics
	STS17NF3LL STMicroelectronics
	STS14N3LLH5 STMicroelectronics
	STS15N4LLF3 STMicroelectronics
	STS11NF30L STMicroelectronics

รายการนี้ถูกเพิ่มในรถเข็นของคุณแล้ว